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RQ3E120AT
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RQ3E120AT
ROHM
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HSMT8
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【RQ3E120AT】
Pch -30V -39A パワーMOSFET
メーカー:ROHM Semiconductor
推奨セット:
Switching
端子数:
8
極性:
Pch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]:
-30
ドレイン電流 (直流) ID [A]:
-39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):
0.0087
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):
0.0061
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):
0.0087
ゲート総電荷量 Qg [nC]:
33
許容損失 PD [W]:
20
駆動電圧 [V]:
-4.5
実装方式:
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]:
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]:
150
パッケージ:
HSMT8
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